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大功率mos管(常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?)

大功率mos管(常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?)

详解功率MOS管的每一个参数

详解功率MOS管的每一个参数如下:

简介

MOS管,即金属(Metal)氧化物(Oxide)半导体(Semiconctor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件;和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

MOS管的种类及结构

MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时,对于N沟道的电源输入为D,输出为S;P沟道的电源输入为S,输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。

从结构图可发现,N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上,而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压(或称场电压)控制,其输入的电流极小或没有电流输入,使得该器件有很高的输入阻抗,这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。

MOS管工作原理

N沟道增强型场效应管原理

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。

当栅极G和源极S之间不加任何电压,即VGS=0时,由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底,相当于两个背靠背连接的PN结,它们之间的电阻高达1012Ω,即D、S之间不具备导电的沟道,所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压,都不会产生漏极电流ID。

当将衬底B与源极S短接,在栅极G和源极S之间加正电压,即VGS>0时,如图表4(a)所示,则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下,P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动,电子受电场的吸引向衬底表面运动,与衬底表面的空穴复合,形成了一层耗尽层。

如果进一步提高VGS电压,使VGS达到某一电压VT时,P衬底表面层中空穴全部被排斥和耗尽,而自由电子大量地被吸引到表面层,由量变到质变,使表面层变成了自由电子为多子的N型层,称为“反型层”,如图表3(b)所示。

反型层将漏极D和源极S两个N+型区相连通,构成了漏、源极之间的N型导电沟道。把开始形成导电沟道所需的VGS值称为阈值电压或开启电压,用VGS(th)表示。显然,只有VGS>VGS(th)时才有沟道,而且VGS越大,沟道越厚,沟道的导通电阻越小,导电能力越强;“增强型”一词也由此得来。

在VGS>VGS(th)的条件下,如果在漏极D和源极S之间加上正电压VDS,导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区流向源区,因为沟道有一定的电阻,所以沿着沟道产生电压降,使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小,靠近漏区一端的电压VGD最小,其值为VGD=VGS-VDS,相应的沟道最薄;靠近源区一端的电压最大,等于VGS,相应的沟道最厚。

这样就使得沟道厚度不再是均匀的,整个沟道呈倾斜状。随着VDS的增大,靠近漏区一端的沟道越来越薄。

当VDS增大到某一临界值,使VGD≤VGS(th)时,漏端的沟道消失,只剩下耗尽层,把这种情况称为沟道“预夹断”,如图表4(a)所示。继续增大VDS[即VDS>VGS-VGS(th)],夹断点向源极方向移动,如图表4(b)所示。

尽管夹断点在移动,但沟道区(源极S到夹断点)的电压降保持不变,仍等于VGS-VGS(th)。因此,VDS多余部分电压[VDS-(VGS-VGS(th))]全部降到夹断区上,在夹断区内形成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区,当电子到达夹断区边缘时,受夹断区强电场的作用,会很快的漂移到漏极。

P沟道增强型场效应管原理

P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名,其通过光刻、扩散的方法或其他手段,在N型衬底(基片)上制作出两个掺杂的P区,分别引出电极(源极S和漏极D),同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似;只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。

在正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连,而漏极对源极的电压VDS应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道,栅极对源极的电压也应为负。

当VDS=0时。在栅源之间加负电压比,由于绝缘层的存在,故没有电流,但是金属栅极被补充电而聚集负电荷,N型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动,表面留下带正电的离子,形成耗尽层。

随着G、S间负电压的增加,耗尽层加宽,当VDS增大到一定值时,衬底中的空穴(少子)被栅极中的负电荷吸引到表面,在耗尽层和绝缘层之间形成一个P型薄层,称反型层,如图表6(2)所示。

这个反型层就构成漏源之间的导电沟道,这时的VGS称为开启电压VGS(th),达到VGS(th)后再增加,衬底表面感应的空穴越多,反型层加宽,而耗尽层的宽度却不再变化,这样我们可以用VGS的大小控制导电沟道的宽度。

当VDS≠0时。导电沟道形成以后,D、S间加负向电压时,那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通,而且ID随VDS而增,ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等,该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用,使沟道从漏极到源极逐渐变窄,如图表7(1)所示。

当VDS增大到使VGD=VGS(即VDS=VGS-VGS(TH)),沟道在漏极附近出现预夹断,如图表7(2)所示。再继续增大VDS,夹断区只是稍有加长,而沟道电流基本上保持预夹断时的数值,其原因是当出现预夹断时再继续增大VDS,VDS的多余部分就全部加在漏极附近的夹断区上,故形成的漏极电流ID近似与VDS无关。

N沟道耗尽型场效应管原理

N沟道耗尽型MOS管的结构与增强型MOS管结构类似,只有一点不同,就是N沟道耗尽型MOS管在栅极电压VGS=0时,沟道已经存在。这是因为N沟道是在制造过程中采用离子注入法预先在D、S之间衬底的表面、栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子,该沟道亦称为初始沟道。

当VGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道,所以只要有漏源电压,就有漏极电流存在;当VGS>0时,将使ID进一步增加;VGS<0时,随着VGS的减小,漏极电流逐渐减小,直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压或阈值电压,用符号VGS(off)或Up表示。

如果在栅极加负电压(即VGS<0),就会在相对应的衬底表面感应出正电荷,这些正电荷抵消N沟道中的电子,从而在衬底表面产生一个耗尽层,使沟道变窄,沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压VGS(off)时,耗尽区扩展到整个沟道,沟道完全被夹断(耗尽),这时即使VDS仍存在,也不会产生漏极电流,即ID=0。

P沟道耗尽型场效应管原理

P沟道耗尽型MOS管的工作原理与N沟道耗尽型MOS管完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性也不同。

耗尽型与增强型MOS管的区别

耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端(Gate)不加电压时有导电沟道存在,而增强型MOS管只有在开启后,才会出现导电沟道;两者的控制方式也不一样,耗尽型MOS管的VGS(栅极电压)可以用正、零、负电压控制导通,而增强型MOS管必须使得VGS>VGS(th)(栅极阈值电压)才行。

由于耗尽型N沟道MOS管在SiO2绝缘层中掺有大量的Na+或K+正离子(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),当VGS=0时,这些正离子产生的电场能在P型衬底中感应出足够的电子,形成N型导电沟道;当VGS>0时,将产生较大的ID(漏极电流);如果使VGS<0,则它将削弱正离子所形成的电场,使N沟道变窄,从而使ID减小。

这些特性使得耗尽型MOS管在实际应用中,当设备开机时可能会误触发MOS管,导致整机失效;不易被控制,使得其应用极少。

因此,日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管;其中,PMOS可以很方便地用作高端驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题,在高端驱动中,通常还是使用NMOS替代,这也是市面上无论是应用还是产品种类,增强型NMOS管最为常见的重要原因,尤其在开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS管。

MOS管区分NP沟道

三极管是流控型器件,MOS管是压控型器件,两者存在相似之处。三极管机可能经常用,但MOS管你用的可能较少。对于MOS管先抛出几个问题:

如何区分P-MOS和N-MOS;

如何区分MOS的G、D、S管脚;

MOS管的寄生二极管方向如何;

MOS管如何导通;

MOS管重要特性

导通特性

导通的意义是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,VGS大于一定的值就会导通,适用于源极接地时的情况(低端驱动),只需栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性是,VGS小于一定的值就会导通,适用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

损失特性

不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,电流就会被电阻消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右,选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

MOS管在进行导通和截止时,两端的电压有一个降落过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,这称之为开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积越大,构成的损失也就越大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

寄生电容驱动特性

跟双极性晶体管相比,MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通,而且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS、GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,理论上就是对电容的充放电。

对电容的充电需要一个电流,由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一个要留意的是可提供瞬间短路电流的大小;第二个要留意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要栅极电压大于源极电压。

而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极导通电压要比VCC高4V或10V,而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。

寄生二极管

漏极和源极之间有一个寄生二极管,即“体二极管”,在驱动感性负载(如马达、继电器)应用中,主要用于保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

不同耐压MOS管特点

不同耐压的MOS管,其导通电阻中各部分电阻比例分布不同。如耐压30V的MOS管,其外延层电阻仅为总导通电阻的29%,耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。

不同耐压MOS管的区别主要在于,耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢,因此,它们的特性在实际应用中也表现出了不一样之处,如耐中低压MOS管只需要极低的栅极电荷就可以满足强大电流和大功率处理能力,除开关速度快之外,还具有开关损耗低的特点,特别适应PWM输出模式应用;而耐高压MOS管具有输入阻抗高的特性,在电子镇流器、电子变压器、开关电源方面应用较多。

MOS管与三极管、IBGT的差别

MOS管与三极管的差别

三极管全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大。MOS管与三极管有着许多相近的地方,也有许多不同之处。

首先是开关速度的不同。三极管工作时,两个PN结都会感应出电荷,当开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,假设这时三极管截至,PN结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需求时间。而MOS由于工作方式不同,不需要恢复时间,因此可以用作高速开关管。

其次是控制方式不同。MOS管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。

接着是载流子种类数量不同。电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件,双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管只应用了一种多数载流子导电,所以也称为单极型器件;而三极管是既有多数载流子,也应用少数载流子导电;是为双极型器件。

第三是灵活性不同。有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。

大功率mos管(常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?)

第四是集成能力不同。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上,因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。

第五是输入阻抗和噪声能力不同。MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,被普遍应用于各种电子设备中,特别用MOS管做整个电子设备的输入级,可以获得普通三极管很难达到的性能。

最后是功耗损耗不同。同等情况下,采用MOS管时,功耗损耗低;而选用三极管时,功耗损耗要高出许多。

当然,在使用成本上,MOS管要高于三极管,因此根据两种元件的特性,MOS管常用于高频高速电路、大电流场所,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央区域;而三极管则用于低成本场所,达不到效果时才会考虑替换选用MOS管。

MOS管与IGBT的差别

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和功率晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。

1.3 ID - 连续漏电流

ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数:

ID中并不包含开关损耗,并且实际使用时保持管表面温度在25℃(Tcase)也很难。因此,硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半,通常在1/3~1/4。补充,如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID,这个值更有现实意义。

1.4 IDM -脉冲漏极电流

该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于:线的欧姆区。对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下,将导致器件失效。因此,在典型栅极驱动电压下,需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。

因此需要设定电流密度上限,防止芯片温度过高而烧毁。这本质上是为了防止过高电流流经封装引线,因为在某些情况下,整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片,而是封装引线。

考虑到热效应对于IDM的限制,温度的升高依赖于脉冲宽度,脉冲间的时间间隔,散热状况,RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论,来估计脉冲电流下结温的情况。

1.5 PD -容许沟道总功耗

容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗,可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。

1.6 TJ, TSTG-工作温度和存储环境温度的范围

这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内,将极大地延长其工作寿命。

1.7 EAS-单脉冲雪崩击穿能量

如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压,则器件不会发生雪崩击穿,因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值,其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。

定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

L是电感值,iD为电感上流过的电流峰值,其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散的能量类似。

MOSFET并联后,不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是:某个器件率先发生雪崩击穿,随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。

根据MOS管的输出特性曲线,取Uds其中的一点,然后用作图的方法,可取得到相应的转移特性曲线。从转移特性曲线上可以看出当Uds为某值时,Id与Ugs之间的关系。

MOS的导通电阻跟结温是呈现正温度系数变化的,也就是结温越高,导通电阻越大。MOS数据手册上一般会画出当VGS=10V时的导通电阻随温度变化的曲线。

电容容量值越小,栅极总充电电量QG越小,开关速度越快,开关损耗就越小,开关电源DC/DC变换器等应用,要求较小的QG值。

MOS管一般会有一个寄生二极管,寄生二极管对MOS管有保护的作用,它的特性跟普通的二极管是一样的,也具有正向导通的特性。

最大安全工作区是由一系列(电压,电流)坐标点形成的一个二维区域,MOS管工作时的电压和电流都不能超过该区域,如果超过这个区域就存在危险。

MOS管表面温度在25℃或更高温度下,可允许的最大连续直流电流。从测试条件可以看出,在同样条件下MOS管的温度越高,ID越小。原因是内阻随着温度的增高而增大,根据I=U/R可知,内阻跟电流成反比,内阻越大,通过的电流越小,带载能力越弱。

可以看到,MOS管的相关参数其实有很多,其实,在一般应用中,我们主要考虑漏源击穿电压VDS、持续漏极电流ID、导通电阻RDS(ON)、最大耗散功率PD、开启电压VGS(th),开关时间,工作温度范围等参数就可以了。

请教mos管 作用

MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect Transistor)的简称,它是一种半导体器件,广泛用于电子领域。MOS管有两种主要类型:MOSFET和CMOS。

1. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect Transistor): 这是一种三端口器件,包括栅极(Gate)、漏极(Source)和汇极(Drain)。它的主要作用是作为放大器或开关,可以控制电流流经器件。MOSFET有多种子类型,包括增强型和耗尽型,具有不同的应用场景。

- 增强型MOSFET:通常用作电子开关,能够在栅极施加足够电压时导通电流,通常用于功率放大和开关应用。

- 耗尽型MOSFET:需要施加负栅极电压才能导通电流,通常用于放大和信号处理应用。

2. CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconctor):这是一种集成电路(IC)制造技术,它结合了P型和N型MOSFET来创建逻辑门和存储器电路。CMOS技术广泛应用于数字电子设备,如微处理器、存储芯片和逻辑电路。

总的来说,MOS管的主要作用是控制电流的流动。MOSFET用于电子开关、放大和调节电流,而CMOS技术则用于数字逻辑和集成电路。这些器件在现代电子设备中扮演着重要的角色,从移动电话到计算机芯片,无处不在。

技嘉主板常用mos管有哪些

GT2301、GT3401、GT2305。

根据查询电器网显示,常用大功率mos管型号GT2301、GT3401、GT2305、GT3401,MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种。即N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。

功率最大的mos管

100N10

根据查询家电维修资料网得知,功率最大的mos管是100N10,功率是指物体在单位时间内所做的功的多少,即功率是描述做功快慢的物理量

ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。

60N10参数描述

型号:60N10

封装:TO-263

特性:大功率MOS管

电性参数:60A 100V

栅极阈值电压VGS(TH):4V

连续漏极电流(ID):60A

功耗(PD):160W

二极管正向电压(VSD):1.2V

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ

零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA

反向恢复时间(trr):35nS

输出电容(Coss):182.5pF

贮存温度:-55~+175℃

引线数量:3

大功率MOS管60N10的检测方法:

1、准备

测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。

2、判断电极

将万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。

3、检查放大能力(跨导)

将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。

目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。

100N10-ASEMI大功率MOS管100N10

编辑-Z

100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A,连续漏极电流(ID)为100A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.3V,反向恢复时间(trr)为47nS,输出电容(Coss)为373pF,其中有3条引线。

100N10参数描述

型号:100N10

封装:TO-220AB

特性:大功率MOS管

电性参数:100A 100V

栅极阈值电压VGS(TH):4V

连续漏极电流(ID):100A

功耗(PD):166W

二极管正向电压(VSD):1.3V

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):8.8mΩ

脉冲漏极电流IDM:390A

反向恢复时间(trr):47nS

输出电容(Coss):373pF

贮存温度:-55~+150℃

引线数量:3

100N10属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.32mm,加引脚长度为29.62mm,宽度为10.5mm,高度为4.86mm,脚间距为2.67mm。

常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?

500V20A的MOS,500V22A,500V25A的MOS,500V28A,500V30A,500V33A的MOS,500V35A,500V37A,500V40A的MOS,500V42A,500V45A,500V48A的MOS,500V50A,500V53A,500V55A,500V57A,500V60A的MOS,500V63A,500V67A,500V70A,500V72A的MOS,500V74A,500V77A,500V80A,500V85A,500V88A的MOS,500V90A,500V95A,500V100A,500V110A,500V120A的MOS管。

海飞乐技术,台湾芯片,封装有TO-220,TO-247,TO-3P,SOT-227

600V20A的MOS,600V22A,600V25A的MOS,600V28A,600V30A,600V33A的MOS,600V35A,600V37A,600V40A的MOS,600V42A,600V45A,600V48A的MOS,600V50A,600V53A,600V55A,600V57A,600V60A的MOS,600V63A,600V67A,600V70A,600V72A的MOS,600V74A,600V77A,600V80A,600V85A,600V88A的MOS,600V90A,600V95A,600V100A,600V110A,600V120A的MOS管。

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